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DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

僅供參考

型號 DMN3033LSNQ-13
PNEDA編號 DMN3033LSNQ-13
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3033LSNQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3033LSNQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3033LSNQ-13, DMN3033LSNQ-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 424.01 KB)
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DMN3033LSNQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds755pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.4W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

462mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+5.5V, -0.3V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

1W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 6.67mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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4.5V, 10V

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-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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