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DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

僅供參考

型號 DMN30H4D0L-7
PNEDA編號 DMN30H4D0L-7
描述 MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 23,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN30H4D0L-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN30H4D0L-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN30H4D0L-7, DMN30H4D0L-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 377.6 KB)
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DMN30H4D0L-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds187.3pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)310mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

190A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

82mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

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