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DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

僅供參考

型號 DMN32D4SDW-7
PNEDA編號 DMN32D4SDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 24,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN32D4SDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN32D4SDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN32D4SDW-7, DMN32D4SDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 342.69 KB)
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DMN32D4SDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)650mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.3nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 15V
功率-最大290mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 8.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

276pF @ 10V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

550mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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