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DMN601WKQ-7

DMN601WKQ-7

僅供參考

型號 DMN601WKQ-7
PNEDA編號 DMN601WKQ-7
描述 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN601WKQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN601WKQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN601WKQ-7, DMN601WKQ-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 483.14 KB)
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DMN601WKQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200mW (Ta)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2672pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 790µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

192W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

845pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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