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DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

僅供參考

型號 DMN6069SFGQ-13
PNEDA編號 DMN6069SFGQ-13
描述 MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN6069SFGQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN6069SFGQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN6069SFGQ-13, DMN6069SFGQ-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 521.71 KB)
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DMN6069SFGQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1480pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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