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DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

僅供參考

型號 DMN61D8LVT-13
PNEDA編號 DMN61D8LVT-13
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN61D8LVT-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN61D8LVT-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN61D8LVT-13, DMN61D8LVT-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 471.86 KB)
PDFDMN61D8LVT-13數據表 封面
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DMN61D8LVT-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)630mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.74nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12.9pF @ 12V
功率-最大820mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSOT-26

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 5mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

380nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6160pF @ 1000V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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