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DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

僅供參考

型號 DMN63D0LT-7
PNEDA編號 DMN63D0LT-7
描述 MOSFET N-CH 100V SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 25,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D0LT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D0LT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMN63D0LT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2630pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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