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DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

僅供參考

型號 DMN63D1LDW-7
PNEDA編號 DMN63D1LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D1LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D1LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN63D1LDW-7, DMN63D1LDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 531.67 KB)
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DMN63D1LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 25V
功率-最大310mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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