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DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

僅供參考

型號 DMN63D1LT-7
PNEDA編號 DMN63D1LT-7
描述 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D1LT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D1LT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN63D1LT-7, DMN63D1LT-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 410.24 KB)
PDFDMN63D1LT-7數據表 封面
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DMN63D1LT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)320mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs392nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-523
包裝/箱SOT-523

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

290mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

260mW (Ta)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6227pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Nexperia USA Inc.

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漏極至源極電壓(Vdss)

240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

635pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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