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DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

僅供參考

型號 DMN63D1LV-13
PNEDA編號 DMN63D1LV-13
描述 MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D1LV-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D1LV-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN63D1LV-13, DMN63D1LV-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 332.11 KB)
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DMN63D1LV-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)550mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.392nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 25V
功率-最大940mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

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