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DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

僅供參考

型號 DMN63D8LDWQ-7
PNEDA編號 DMN63D8LDWQ-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 28,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D8LDWQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D8LDWQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN63D8LDWQ-7, DMN63D8LDWQ-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 190.7 KB)
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DMN63D8LDWQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.87nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22pF @ 25V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

133mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 15V

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta), 127mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V

功率-最大

125mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

969pF @ 30V

功率-最大

1.2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

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