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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

僅供參考

型號 DMN65D8LDW-7
PNEDA編號 DMN65D8LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 1,614,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN65D8LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN65D8LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN65D8LDW-7, DMN65D8LDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 529.96 KB)
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DMN65D8LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.87nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22pF @ 25V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 5A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 10V

功率-最大

5W

工作溫度

150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

255pF @ 25V

功率-最大

2.4W

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

364nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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