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DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7

僅供參考

型號 DMP2160UFDB-7
PNEDA編號 DMP2160UFDB-7
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP2160UFDB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP2160UFDB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMP2160UFDB-7, DMP2160UFDB-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 442.74 KB)
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DMP2160UFDB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds536pF @ 10V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

600nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15200pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.32nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

63pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 5mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

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