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DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B

僅供參考

型號 DMP21D5UFB4-7B
PNEDA編號 DMP21D5UFB4-7B
描述 MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 622,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP21D5UFB4-7B資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP21D5UFB4-7B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP21D5UFB4-7B, DMP21D5UFB4-7B數據表 (總頁數: 6, 大小: 244.83 KB)
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DMP21D5UFB4-7B規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)700mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs970mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs500nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds46.1pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)460mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝X2-DFN1006-3
包裝/箱3-XFDFN

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerFlat™ (5x6)

包裝/箱

8-PowerVDFN

NVMFS5C426NWFT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

173mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

619pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2308pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

53W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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