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DMP3015LSSQ-13

DMP3015LSSQ-13

僅供參考

型號 DMP3015LSSQ-13
PNEDA編號 DMP3015LSSQ-13
描述 MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP3015LSSQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP3015LSSQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMP3015LSSQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2748pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 7.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

222nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7160pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

263pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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