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DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13

僅供參考

型號 DMP45H150DHE-13
PNEDA編號 DMP45H150DHE-13
描述 MOSFETP-CHAN 450VSOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP45H150DHE-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP45H150DHE-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP45H150DHE-13, DMP45H150DHE-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 524.33 KB)
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DMP45H150DHE-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)450V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds59.2pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)13.9W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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Diodes Incorporated

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 63A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 110µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4670pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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