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DMP58D0LFB-7

DMP58D0LFB-7

僅供參考

型號 DMP58D0LFB-7
PNEDA編號 DMP58D0LFB-7
描述 MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 73,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP58D0LFB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP58D0LFB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP58D0LFB-7, DMP58D0LFB-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 413.35 KB)
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DMP58D0LFB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds27pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)470mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-DFN1006 (1.0x0.6)
包裝/箱3-UFDFN

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

229nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14964pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8 V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

540mW (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

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