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DMPH4015SPSQ-13

DMPH4015SPSQ-13

僅供參考

型號 DMPH4015SPSQ-13
PNEDA編號 DMPH4015SPSQ-13
描述 MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMPH4015SPSQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMPH4015SPSQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMPH4015SPSQ-13, DMPH4015SPSQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 467.26 KB)
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DMPH4015SPSQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs91nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4234pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.2pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

320mW (Ta)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

451mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

295pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

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64.3pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

470mW (Ta)

工作溫度

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