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DMS2085LSD-13

DMS2085LSD-13

僅供參考

型號 DMS2085LSD-13
PNEDA編號 DMS2085LSD-13
描述 MOSFET P-CH 20V 3.3A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMS2085LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMS2085LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMS2085LSD-13, DMS2085LSD-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 302.89 KB)
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DMS2085LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds353pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 20A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 15V

Vgs(最大)

+19V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 600V

FET功能

-

功耗(最大值)

113W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1715pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

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