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DMS3014SSS-13

DMS3014SSS-13

僅供參考

型號 DMS3014SSS-13
PNEDA編號 DMS3014SSS-13
描述 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMS3014SSS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMS3014SSS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMS3014SSS-13, DMS3014SSS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 326.07 KB)
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DMS3014SSS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45.7nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2296pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Body)
功耗(最大值)1.55W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

147nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4590pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

346nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

29000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.98W (Ta), 113.6W (Tc)

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