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DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

僅供參考

型號 DMT10H017LPD-13
PNEDA編號 DMT10H017LPD-13
描述 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT10H017LPD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT10H017LPD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMT10H017LPD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)54.7A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1986pF @ 50V
功率-最大2.2W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PowerDI5060-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 16V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404pF @ 20V

功率-最大

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