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DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

僅供參考

型號 DMT3009LFVW-13
PNEDA編號 DMT3009LFVW-13
描述 MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT3009LFVW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT3009LFVW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT3009LFVW-13, DMT3009LFVW-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 520.02 KB)
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DMT3009LFVW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds823pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包裝PowerDI3333-8 (Type UX)
包裝/箱8-PowerVDFN

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 1.5A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

26.4W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A (Ta), 300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.92mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 190µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 166W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

163nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

333W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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