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DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

僅供參考

型號 DMT6002LPS-13
PNEDA編號 DMT6002LPS-13
描述 MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT6002LPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT6002LPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT6002LPS-13, DMT6002LPS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 436.75 KB)
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DMT6002LPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6555pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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N-Channel

技術

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

632pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

325W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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-

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3.1W (Ta)

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