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DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

僅供參考

型號 DMTH10H005SCT
PNEDA編號 DMTH10H005SCT
描述 MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH10H005SCT資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH10H005SCT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMTH10H005SCT, DMTH10H005SCT數據表 (總頁數: 6, 大小: 513.31 KB)
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DMTH10H005SCT規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)140A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs111.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8474pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)187W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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Texas Instruments

制造商

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.69mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

121nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

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