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DMTH62M8LPS-13

DMTH62M8LPS-13

僅供參考

型號 DMTH62M8LPS-13
PNEDA編號 DMTH62M8LPS-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH62M8LPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH62M8LPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMTH62M8LPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs96.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4515pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 380µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

319pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 590µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

181W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

362nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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FET功能

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功耗(最大值)

202W (Tc)

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