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DN2625DK6-G

DN2625DK6-G

僅供參考

型號 DN2625DK6-G
PNEDA編號 DN2625DK6-G
描述 MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DN2625DK6-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DN2625DK6-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DN2625DK6-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Depletion Mode
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.04nC @ 1.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-DFN (5x5)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

112A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

408nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7680pF @ 1000V

功率-最大

714W

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

520mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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