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DN3525N8-G

DN3525N8-G

僅供參考

型號 DN3525N8-G
PNEDA編號 DN3525N8-G
描述 MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 93,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DN3525N8-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DN3525N8-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DN3525N8-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)360mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 200mA, 0V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱TO-243AA

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1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

492pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

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安裝類型

Surface Mount

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-

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

445mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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3.1W (Ta), 125W (Tc)

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