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DN3545N3-G

DN3545N3-G

僅供參考

型號 DN3545N3-G
PNEDA編號 DN3545N3-G
描述 MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 14,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DN3545N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DN3545N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DN3545N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)450V
電流-25°C時的連續漏極(Id)136mA
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds360pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)740mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92 (TO-226)
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

380nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1Ohm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3435pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Ta), 120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 135µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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