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DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

僅供參考

型號 DNA30E2200FE
PNEDA編號 DNA30E2200FE
描述 DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DNA30E2200FE資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DNA30E2200FE
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DNA30E2200FE, DNA30E2200FE數據表 (總頁數: 5, 大小: 137.53 KB)
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DNA30E2200FE規格

制造商IXYS
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 30A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 2200V
電容@ Vr,F7pF @ 700V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-2, IPak
供應商設備包裝i4-PAC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SMB

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

電容@ Vr,F

450pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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20V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

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