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DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

僅供參考

型號 DNA30E2200PA
PNEDA編號 DNA30E2200PA
描述 DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DNA30E2200PA資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DNA30E2200PA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DNA30E2200PA, DNA30E2200PA數據表 (總頁數: 5, 大小: 127.06 KB)
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DNA30E2200PA規格

制造商IXYS
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.26V @ 30A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 2200V
電容@ Vr,F7pF @ 700V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

300mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1600V

電容@ Vr,F

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300V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

65ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

240pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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