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DRA3124E0L

DRA3124E0L

僅供參考

型號 DRA3124E0L
PNEDA編號 DRA3124E0L
描述 TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DRA3124E0L資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DRA3124E0L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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DRA3124E0L規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝SSSMini3-F2-B

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

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Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

SSSMini3-F2-B

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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