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DRC5614T0L

DRC5614T0L

僅供參考

型號 DRC5614T0L
PNEDA編號 DRC5614T0L
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DRC5614T0L資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DRC5614T0L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DRC5614T0L, DRC5614T0L數據表 (總頁數: 5, 大小: 269.77 KB)
PDFDRC5614T0L數據表 封面
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DRC5614T0L規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic80mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-85
供應商設備包裝SMini3-F2-B

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 40mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 1.5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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功率-最大

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70 @ 5mA, 5V

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300mV @ 500µA, 10mA

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