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DS1220AB-150IND+

DS1220AB-150IND+

僅供參考

型號 DS1220AB-150IND+
PNEDA編號 DS1220AB-150IND
描述 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 9,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1220AB-150IND+資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1220AB-150IND+
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1220AB-150IND+, DS1220AB-150IND+數據表 (總頁數: 8, 大小: 195.19 KB)
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DS1220AB-150IND+規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁150ns
訪問時間150ns
電壓-供電4.75V ~ 5.25V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝24-EDIP

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C, Single Wire

時鐘頻率

125kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 4.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

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系列

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內存類型

-

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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S29GL064N11TFIV73

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-N

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

AS4C4M16SA-6BIN

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

71V67603S150BQ

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

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