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DS1230AB-100+

DS1230AB-100+

僅供參考

型號 DS1230AB-100+
PNEDA編號 DS1230AB-100
描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1230AB-100+資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1230AB-100+
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1230AB-100+, DS1230AB-100+數據表 (總頁數: 10, 大小: 216.05 KB)
PDFDS1230ABP-70IND+數據表 封面
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DS1230AB-100+規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.75V ~ 5.25V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝28-EDIP

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (512K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

80-LBGA

供應商設備包裝

80-LBGA (10x12)

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制造商

Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

24LC014-E/P

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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