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DS1270Y-100#

DS1270Y-100#

僅供參考

型號 DS1270Y-100#
PNEDA編號 DS1270Y-100_5B
描述 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1270Y-100#資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1270Y-100#
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1270Y-100#, DS1270Y-100#數據表 (總頁數: 8, 大小: 191.18 KB)
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DS1270Y-100#規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝36-EDIP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

208-LFBGA

供應商設備包裝

208-FPBGA (15x15)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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