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DSE010-TR-E

DSE010-TR-E

僅供參考

型號 DSE010-TR-E
PNEDA編號 DSE010-TR-E
描述 DIODE GEN PURP 80V 100MA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSE010-TR-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSE010-TR-E
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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DSE010-TR-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
電容@ Vr,F3pF @ 0.5V, 1MHz
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.16V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

32pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

110pF @ 5V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

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