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DSEI12-12A

DSEI12-12A

僅供參考

型號 DSEI12-12A
PNEDA編號 DSEI12-12A
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 26,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSEI12-12A資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSEI12-12A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DSEI12-12A, DSEI12-12A數據表 (總頁數: 3, 大小: 138.47 KB)
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DSEI12-12A規格

制造商IXYS
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)11A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.6V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)70ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

520mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 400mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 30V

電容@ Vr,F

15pF @ 30V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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