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DTB743EETL

DTB743EETL

僅供參考

型號 DTB743EETL
PNEDA編號 DTB743EETL
描述 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 1 - 十月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTB743EETL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTB743EETL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTB743EETL, DTB743EETL數據表 (總頁數: 3, 大小: 121.58 KB)
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DTB743EETL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡260MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝EMT3

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電阻-基本(R1)

510 Ohms

電阻-發射極基(R2)

5.1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

150mW

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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