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DTC014EMT2L

DTC014EMT2L

僅供參考

型號 DTC014EMT2L
PNEDA編號 DTC014EMT2L
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC014EMT2L資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC014EMT2L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC014EMT2L, DTC014EMT2L數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,382.94 KB)
PDFDTC014EMT2L數據表 封面
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DTC014EMT2L規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VMT3

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

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安裝類型

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

338mW

安裝類型

Surface Mount

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4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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