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DTC113EET1G

DTC113EET1G

僅供參考

型號 DTC113EET1G
PNEDA編號 DTC113EET1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 121,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC113EET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC113EET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC113EET1G, DTC113EET1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 128.42 KB)
PDFMMUN2230LT1G數據表 封面
MMUN2230LT1G數據表 頁面 2 MMUN2230LT1G數據表 頁面 3 MMUN2230LT1G數據表 頁面 4 MMUN2230LT1G數據表 頁面 5 MMUN2230LT1G數據表 頁面 6 MMUN2230LT1G數據表 頁面 7 MMUN2230LT1G數據表 頁面 8 MMUN2230LT1G數據表 頁面 9 MMUN2230LT1G數據表 頁面 10 MMUN2230LT1G數據表 頁面 11

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DTC113EET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)1 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce3 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

130MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

150mW

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 6mA, 600mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 100mA, 1V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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100mA

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100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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