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DTC114TCAHZGT116

DTC114TCAHZGT116

僅供參考

型號 DTC114TCAHZGT116
PNEDA編號 DTC114TCAHZGT116
描述 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC114TCAHZGT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC114TCAHZGT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
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DTC114TCAHZGT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大350mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 100mA, 1V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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