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DTC143ZU3T106

DTC143ZU3T106

僅供參考

型號 DTC143ZU3T106
PNEDA編號 DTC143ZU3T106
描述 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC143ZU3T106資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC143ZU3T106
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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DTC143ZU3T106規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝UMT3

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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