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DTC144WET1G

DTC144WET1G

僅供參考

型號 DTC144WET1G
PNEDA編號 DTC144WET1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 108,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC144WET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC144WET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC144WET1G, DTC144WET1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 154.05 KB)
PDFNSBC144WF3T5G數據表 封面
NSBC144WF3T5G數據表 頁面 2 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 3 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 4 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 5 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 6 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 7 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 8 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 9 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 10 NSBC144WF3T5G數據表 頁面 11

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DTC144WET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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