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DTD523YMT2L

DTD523YMT2L

僅供參考

型號 DTD523YMT2L
PNEDA編號 DTD523YMT2L
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTD523YMT2L資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTD523YMT2L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTD523YMT2L, DTD523YMT2L數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,255.6 KB)
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DTD523YMT2L規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡260MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VMT3

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

350mW

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2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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