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DVR1V8W-7

DVR1V8W-7

僅供參考

型號 DVR1V8W-7
PNEDA編號 DVR1V8W-7
描述 TRANS NPN 18V 1A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DVR1V8W-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DVR1V8W-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
DVR1V8W-7, DVR1V8W-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.43 KB)
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DVR1V8W-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN + Zener Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)18V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 100mA, 1V
功率-最大200mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

36W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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頻率-過渡

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 10V

功率-最大

500mW

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