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ECH8602M-TL-H

ECH8602M-TL-H

僅供參考

型號 ECH8602M-TL-H
PNEDA編號 ECH8602M-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8602M-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8602M-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8602M-TL-H, ECH8602M-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 299.24 KB)
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ECH8602M-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 30V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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