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ECH8651R-R-TL-H

ECH8651R-R-TL-H

僅供參考

型號 ECH8651R-R-TL-H
PNEDA編號 ECH8651R-R-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8651R-R-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8651R-R-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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ECH8651R-R-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 2mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 1000V

功率-最大

250W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

133mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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