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ECH8651R-TL-HX

ECH8651R-TL-HX

僅供參考

型號 ECH8651R-TL-HX
PNEDA編號 ECH8651R-TL-HX
描述 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8651R-TL-HX資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8651R-TL-HX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8651R-TL-HX, ECH8651R-TL-HX數據表 (總頁數: 7, 大小: 304.66 KB)
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ECH8651R-TL-HX規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

462W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

功率-最大

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