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ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H

僅供參考

型號 ECH8690-TL-H
PNEDA編號 ECH8690-TL-H
描述 MOSFET N/P-CH 60V ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 29,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8690-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8690-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8690-TL-H, ECH8690-TL-H數據表 (總頁數: 8, 大小: 612.27 KB)
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ECH8690-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A, 3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds955pF @ 20V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta), 2.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 15V, 409pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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