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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

僅供參考

型號 EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
PNEDA編號 EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 21,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D, EDB1316BDBH-1DAAT-F-D數據表 (總頁數: 145, 大小: 1,817.13 KB)
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-VFBGA
供應商設備包裝134-VFBGA (10x11.5)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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